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考点:半导体,超导

  • 计算机光驱的主要部分是激光头,它可以发射脉冲激光信号,激光扫描光盘信息时,激光头利用光敏电阻自动计数器将反射回来的脉冲信号传输给信号处理系统,再通过计算机显示出相应信息。光敏电阻自动计数器的示意图如图所示,其中R1为光敏电阻(在光照下,电阻明显减少),R2为定值电阻,此光电计数器的基本工作原理是(    )
    A.当有光照射R1时,处理系统获得高电压2 R) c, D, N+ D& U8 V+ K
    B.当有光照射R1时,处理系统获得低电压$ Q7 S, E8 V7 b- `! L
    C.信号处理系统每获得一次低电压就计数一次; ?6 g1 Q8 V, ^6 N. @: N, g
    D.信号处理系统每获得一次高电压就计数一次
    ' b) E( Z9 f* ]: D. e3 A# P

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  • 图(1)中R1为光敏电阻,R2为定值电阻。将图(2)中的方波电压加在小灯泡两端,灯泡随方波电压而明灭变化。灯光照到R1上,引起R2的电压的变化。图(3)的四幅图象能够正确反映A、B两点间电压U2随时间变化的是(     )

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  • 如图所示,现有半导体热敏电阻R1、电炉丝、电源、电磁继电器、滑动变阻器、开关和导线若干。试设计一个温控电路:要求闭合开关后,温度超过某一温度时,电炉丝自动断电;低于某一温度时,又可以自动通电加热。

    (1)请在图上连线,将热敏电阻R1接入电路。
    (2)如果要求当温度更高时,电炉丝自动断电,则滑动变阻器的滑动触头应该向     (填“左”或“右”)移动。

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  • 一个用半导体材料制成的电阻器D,其电流I随它两端电压U变化的关系如图中的(a)所示,将它与两个标准电阻R1、R2组成如图(b)所示电路,当电键S接通位置1时,三个用电器消耗的电功率均为P。将电键S切换到位置2后,电阻器D和电阻R1、R2消耗的电功率分别是PD、P1、P2,下列关系中正确的是
    A.P1>P8 ]: A h6 Y8 W7 A2 M B.P1>P26 S+ `* j; e- g+ K% K! ] C.P1>4PD1 c& W$ A/ @2 Z. b8 E2 D0 E" W2 ^ D.PD+P1+P2>3P
    " ^/ L* [1 a( W

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  • 下列说法中正确的是(    )
    A.超导体就是材料很好的导体3 G0 Q B# Y6 S/ \" R B.超导体就是在低温时电阻相当小的导体
    ' d: j% J$ E6 i; F8 i) [
    C.超导体就是在低温时电阻为零的导体" ?+ X& [2 i% G. L( T4 A6 R4 ^ D.超导体就是绝缘材料制成的导体4 N, V' g/ L2 N1 M

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  • NTC热敏电阻器即负温度系数热敏电阻器,也就是指阻值随温度的升高而减小的电阻。负温度系数的热敏电阻R 2接入如图所示电路中,R1为定值电阻, L为小灯泡,当温度降低时(不考虑灯泡和定值电阻阻值随温度变化)(   )
    A.小灯泡变亮B.小灯泡变暗
    C.R 1两端的电压增大D.电流表的示数增大

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  • 图为光敏电阻自动计数器的示意图,其中R1为光敏电阻,R2为定
    值电阻。对该计数器的工作原理,以下说法正确的是  (   )
    A.当有光照射R1时,信号处理系统获得低电压;
    , i7 c% C( ^1 V' \9 K* b
    B.当有光照射R1时,信号处理系统获得高电压;% f# `$ H8 B j) Z. F
    C.信号处理系统每获得高电压就计数一次;
    . W- E6 Z' T1 b9 E R) d1 L
    D.信号处理系统每获得低电压就计数一次3 K0 f+ P! d. H: H% \

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  • 光敏电阻是用半导体材料制成的,如图16所示,将一个光敏电阻与多用电表串联成一电路,此时选择开关放在欧姆挡,照射在光敏电阻上的光强逐渐增大,则欧姆表指针的偏转角度         若将选择开关放在电压档,同样增大照射光强度,则指针偏转角度            。(填“变大” 、“变小”或“不变”)

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  • 某种材料具有电阻率随温度变化的特性,利用这种材料可以制成(    )
    A.热敏电阻, U- h2 H9 b: [+ @8 `B.光敏电阻
    * \, e: W Y5 D( a! I+ O) ?! N* K
    C.电容器
    * [/ V/ _; _! b; C
    D.电感器: M P' Q) M0 M- L( b

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  • 有一电学元件,温度升高时电阻却大幅度减小,则这种元件可能是(    )
    A.金属导体- P; F5 J& g; L- P$ X! c! ZB.绝缘体% ?3 h/ C$ e8 P' j/ R7 g1 O, ]
    C.半导体 T% R, L. O G% A1 E( c7 BD.超导体; X! `8 K- V. E2 _

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